1N5554US
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 0.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SQ-MELF-2 封装。
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芯片技术资料
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1N5554US
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 500 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US/TR
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N5554US
Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 2.16 mm、长度 4.95 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.16 mm、单件重量 0.019013 oz，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N5554US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTX1N5554US
Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 2.16 mm、长度 4.95 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.16 mm、单件重量 0.019013 oz，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTX1N5554US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTXV1N5554US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 D-5B-2 封装。
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