1N5554
Microchip / Microsemi
主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 B-Package-2 封装。
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芯片技术资料
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1N5554
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 B-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 25 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 0.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 500 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5554US/TR
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 D-5B-2 封装。
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