1N5420US
Microchip / Microsemi
主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 D-5B-2 封装。
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1N5420US
Microchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 9 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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Microchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N5420US
Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 3.76 mm、长度 5.72 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 3.76 mm，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 3.76 mm、长度 5.72 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 3.76 mm，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 3.76 mm、长度 5.72 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 3.76 mm，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 80 A，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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