1N5407G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 DO-201AD 封装。
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1N5407G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G
onsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G A0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G R0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G R0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G-B
Rectron
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G-K A0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G-K B0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407G-K R0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD-2 封装。
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