1N5369B
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-201 封装。
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1N5369B-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 93 mA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-15-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369B/TR12
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 T-18-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369B/TR8
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 T-18-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369Be3/TR12
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 T-18-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369Be3/TR13
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 T-18-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369Be3/TR8
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 T-18-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369BG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 017AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5369BG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 51 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 27 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 017AA-2 封装。
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