1N5290
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 0.517 mA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C、配置 Single，采用 DO-204AH 封装。
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芯片技术资料
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1N5290
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 517 uA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-7-2 封装。
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Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N5290 PBFREE TR，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 517 uA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 517 uA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290UR-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 0.517 mA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Current Regulator Diodes1N5290UR-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括最大稳压器电流 517 uA、最大限制电压 1.05 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single，采用 DO-213AB-2 封装。
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