1N5265B
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.097 %/C、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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1N5265B
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265B-TAP
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.097 %/K、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.097 %/C、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265B-TR
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.097 %/K、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265B/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-204AH-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265B/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-204AH-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265BUR-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.097 %/C、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5265BUR-1
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 185 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-213AB-2 封装。
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