1N5060
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 50 A，采用 GPR-1A 封装。
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1N5060
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-15 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060 BK
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 40 A，采用 GPR-1A 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060 TR
Central Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 40 A，采用 GPR-1A 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060GP-E3/54
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-204AC(DO-15) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060GP-E3/73
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-204AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060TAP
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SOD-57 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5060TR
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SOD-57 封装。
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