1N4970US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 2 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 D-5B-2 封装。
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1N4970US
Semtech
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4970US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4970US/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4970US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括高度 3.76 mm、长度 5.72 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 3.76 mm，采用 D-5B-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 D-5B-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTX1N4970US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括高度 2.62 mm、长度 5.08 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.62 mm，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTXV1N4970US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 144 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 D-5B-2 封装。
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