1N4749A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N4749A
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A A0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10.5 mA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A B0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10.5 mA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N4749A BK PBFREE，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A BK PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、测试电流 10.5 mA、原产国家或地区 美国、稳压管电流 190 mA，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A BK TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A G
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749A R0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C，采用 DO-41 封装。
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