1N459A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管,主要参数包括类型 Small Signal Switching Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流(If) 500 mA、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管,主要参数包括类型 Small Signal Switching Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流(If) 500 mA、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括产品 Switching Diodes。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switchingonsemi
该型号为二极管,主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流(If) 500 mA、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesMicrochip Technology
该型号为二极管,主要参数包括产品 Switching Diodes。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管,主要参数包括类型 Small Signal Switching Diode、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流(If) 500 mA、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switchingonsemi
该型号为二极管,主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 200 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流(If) 500 mA、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesMicrochip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesMicrochip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes