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GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 1.4 kV、最大浪涌电流 3 kA、正向电流(If) 150 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V。
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GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 1.4 kV、最大浪涌电流 3 kA、正向电流(If) 150 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingGeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1400 V、正向电流(If) 150 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.5 V、最大浪涌电流 3000 A,采用 DO-8 封装。
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