1N4154
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N4154-1。
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芯片技术资料
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1N4154
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 2 ns。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4154-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4154-1
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 30 mA、配置 Single、恢复时间 2 ns，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4154-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4154-1E3
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4154-1e3/tr
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 2 ns，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4154-1e3/tr
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 2 ns，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4154/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4154/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 35 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
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