1N4121
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 7.2 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
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1N4121
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4121/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4121UR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 DO-213AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4121UR-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 DO-213AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4121-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 2.29 mm、长度 5.08 mm、端接方式 Axial、单件重量 0.004586 oz，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N4121-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω，采用 DO-204AH-2 封装。
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