1N3880R
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 6 A、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 90 A、反向电流（Ir） 15 uA，采用 DO-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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