1N3766R
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 35 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 475 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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芯片技术资料
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1N3766R
Microchip / Microsemi
主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 500 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 DO-203AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N3766R
Microchip Technology
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 500 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 500 A，采用 DO-203AB-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTX1N3766R
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTXV1N3766R
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
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Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 35 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 400 A，采用 DO-5 封装。
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