1N3600
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
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1N3600
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N3600 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 200 mA、恢复时间 6 ns，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N3600 TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 400 mA、配置 Single、恢复时间 6 ns。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N3600 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N3600/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N3600/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N3600UR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N3600UR/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesJANTX1N3600
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 4 A，采用 DO-7 封装。
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