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1N3155AE3

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 8.4 V、耗散功率(Pd) 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.005 %/C、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω,采用 DO-204AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N3155AE3

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 8.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 10 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N3155AE3/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 8.4 V、耗散功率(Pd) 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.005 %/C、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω,采用 DO-204AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N3155AE3/TR

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 8.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 10 uA、稳压管阻抗(Zz) 15 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-7 封装。

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