原型号
查看详情 · 1 条候选R1121N261B-TR-FE
Nisshinbo Micro Devices Inc.
- R1111N261B-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.参数相近
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技术资料参考
芯片技术资料
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1N26
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为二极管。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN Diodes1N26R
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为二极管。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN DiodesADM8611N263ACBZ-R7
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 900 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 2.63 V、监控输入数 1 Input，采用 WLCSP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsDD231N26K
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括输出电流 410 A、类型 Rectifier Diode Module、反向电压（Vr） 2600 V、门极触发电流（Igt） 25 mA、型号别名 DD231N26KHPSA1 SP000091452，采用 DD231 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesND261N26K
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括输出电流 210 A、类型 Rectifier Diode Module、反向电压（Vr） 2600 V、门极触发电流（Igt） 40 mA、型号别名 ND261N26KHPSA1 SP000091796、单件重量 1.543 lbs，采用 ND261 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesR1111N261B-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsR1121N261B-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsR1131N261D-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsR1161N261D-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsR3111N261A-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 700 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 2.6 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits