1N1187R
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 35 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 595 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-5 封装。
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芯片技术资料
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1N1187R
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
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Microchip Technology
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-203AB-2 封装。
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Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 35 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 400 A，采用 DO-203AB 封装。
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Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 40 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 800 A，采用 DO-203AB (DO-5) 封装。
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