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原厂资料

51 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
XC3S400AN-4FG400I4100Xilinx (AMD)
  • XC3S400AN-4FG400I
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

47 个原型号
原型号

AD828AR

Analog Devices Inc.

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  • THS4022IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD828AR-REEL

Analog Devices Inc.

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  • THS4022IDTexas Instruments相似型号
原型号

AOZ1057AIL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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  • ST1S40IDRSTMicroelectronics相似型号
原型号

AT94S40AL-25BQC

Microchip Technology

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  • AT94S40AL-25DGJMicrochip Technology直接替代候选
原型号

ISL55002IBZ-T7

Renesas Electronics Corporation

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  • THS4022IDTexas Instruments相似型号
原型号

LM4040AIM3X-2.5

Texas Instruments

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  • TS4040DILT-2.5STMicroelectronics相似型号
原型号

LM4040D25QDBZRG4

Texas Instruments

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  • TS4040DILT-2.5STMicroelectronics相似型号
原型号

LM4040DIM3X-2.5

Texas Instruments

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  • TS4040DILT-2.5STMicroelectronics参数相近
原型号

LM4040EIM3-2.5

Texas Instruments

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  • TS4040DILT-2.5STMicroelectronics参数相近
原型号

LM4041A12IDBZR

Texas Instruments

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  • TS4041DILT-1.2STMicroelectronics相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

1,669 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S40

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 80 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S4004DS1RP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4004DS1TP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 5 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4004DS2RP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4004DS2TP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 5 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4004VS1TP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流(IBO) 30 A、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-251 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4004VS2TP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流(IBO) 30 A、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 2 uA、通态有效值电流(It RMS) 4 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 TO-251 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4006DRP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、最大转折电流(IBO) 100 A、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态有效值电流(It RMS) 6 A、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4006DS2RP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、通态有效值电流(It RMS) 6 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S4006DS2TP

Littelfuse

主要参数包括类型 Sensitive SCRs、额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 5 uA、通态有效值电流(It RMS) 6 A、正向电压(Vf) 1.6 V、最大栅极峰值反向电压 6 V,采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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