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原厂资料

71 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V256SA12YGRenesas
  • 71V256SA12PZG
2022-02-28查看资料
71V256SA12YG8Renesas
  • 71V256SA12PZG8
2022-02-28查看资料
71V256SA12YGIRenesas
  • 71V256SA12PZGI
2022-02-28查看资料
71V256SA12YGI8Renesas
  • 71V256SA12PZGI8
2022-02-28查看资料
SURA8120T3Gonsemi
  • NRVUA120VT3G
2021-07-07查看资料
SBR20A120CTFPDiodes Incorporated
  • SBR20A120CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR30A120CT-E1Diodes Incorporated
  • SBR30A120CT-G
2021-05-24查看资料
SBR30A120CT-G-E1Diodes Incorporated
  • SBR30A120CT-G
2021-05-24查看资料
SBR30A120CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR30A120CTFP-G
2021-05-24查看资料
2DA1213O-13Diodes Incorporated
  • 2DA1213Y-13
2021-03-15查看资料
DDA123JK-7-FDiodes Incorporated
  • DDA123JU-7-F
2021-03-15查看资料
DDA124EK-7-FDiodes Incorporated
  • DDA124EU-7-F
2021-03-15查看资料
NRVBA120ET3Gonsemi
  • NRVBA120ENT3G
2020-10-09查看资料
VS-HFA12PA120CPBFVishay
  • VS-HFA12PA120C-N3
2019-09-14查看资料
VS-HFA16PA120CPBFVishay
  • VS-HFA16PA120C-N3
2019-09-14查看资料
VS-HFA32PA120CPBFVishay
  • VS-HFA32PA120C-N3
2019-09-14查看资料
DTA123EET1Gonsemi
  • DTA143EET1G
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DTA123JM3T5Gonsemi
  • DTA123EM3T5G
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MPSA12RLRAGonsemi
  • MPSA14RLRAG
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MPSA12RLRPGonsemi
  • MPSA14RLRPG
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NSBA123JDXV6T5onsemi
  • NSBA123JDXV6T5G
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

134 个原型号
原型号

24AA128T-I/MF

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选
  • 24AA128-I/MFMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24AA128T-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 7 条候选
  • 24AA128-I/MSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

71256SA12PZG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 19 条候选
  • IS61C256AL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

71V016SA12BFG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 14 条候选
  • 71V016SA12BFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V016SA15BF8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V016SA12BF8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V124SA10PHGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V124SA12TYGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

71V124SA12YG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 16 条候选
  • AS7C31024B-12JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

71V256SA12PZG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 17 条候选
  • IS61C256AL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

7201LA12JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7201LA12JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7201LA12TPG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7202LA12SOGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

2,148 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A12

MACOM

RF Amplifier 10-1000MHz NF 2.8dB Gain 16dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A1202LUA-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar，采用 SIP-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1203EUA-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar，采用 SIP-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1203LLHLT-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar、工作电源电流 3.8 mA，采用 ZLH-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1203LLHLX-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括类型 Bipolar、湿敏性 是，采用 ZLH-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1203LUA-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar，采用 SIP-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1205LLHLT-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1205LLHLX-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括类型 Bipolar、湿敏性 是，采用 ZLH-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A1205LUA-T

Allegro MicroSystems

该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Bipolar，采用 SIP-3 封装。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
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A12060150R010D0TR

IRC / TT Electronics

该型号为衰减器，主要参数包括最大衰减 10 dB、阻抗 50 Ω。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器
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