原型号
查看详情 · 1 条候选BTS50060-1TEA
Infineon Technologies
- BTS500601TEAAUMA2Infineon Technologies直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NSVS50030SB3T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 185 mV，采用 CPH-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVS50030SB3T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 CPH-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVS50031SB3T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 140 mV，采用 CPH-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVS50031SB3T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 CPH-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSCFS5000
Semtech
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSL2ICS5001EW/V7,00
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935284205005、单件重量 0.000013 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersSL2S5002FTB,115
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935293449115、单件重量 0.000529 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersSL2S5002FUD,003
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935290998003、单件重量 0.000003 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersSL3S5002N0FUD/00CZ
NXP Semiconductors
主要参数包括存储容量 224 位、产品 RFID Transponders、商品名称 UCODE、型号别名 935330715003、单件重量 0.000004 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersSL3S5005N0FUD/00BZ
NXP Semiconductors
主要参数包括存储容量 1 kbit、产品 RFID Transponders、商品名称 UCODE、型号别名 935331156003、单件重量 0.000004 oz，采用 Wafer 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders