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搜索结果

原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
LV5725JA-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
LV5725JAZ-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
ADM5170APAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JPAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JP-REELAnalog Devices
  • ADM5170APZ-REEL
2018-02-23查看资料
ECH8620-TL-Eonsemi
  • QS8M51
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FW360-TL-Eonsemi
  • QS8M51
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PCM1718Texas Instruments
  • PCM1748
  • PCM5100A
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PCM1728Texas Instruments
  • PCM5101A
  • PCM1748
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PCM1740Texas Instruments
  • PCM5100A
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

ADM5170JP

Analog Devices Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AT25BCM512B-MAH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选
  • AT25BCM512C-MAHF-TRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IR4428S

Infineon Technologies

查看详情 · 51 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5111-3MX/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号

LM2577SX-ADJ/S5001804

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LM2586SX-5.0/E7001891

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LM2587T-ADJ/SL110726

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5158QRTERQ1Texas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LM5100BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • LM5100BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5100CSD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • LM5100BSD/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5101ASDX-1/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • UCC27201ADRMRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LM5101BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • LM5101BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

678 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FMAM5119

Fairview Microwave

主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 2~4 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 5 A、增益 43 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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FMAM5120

Fairview Microwave

主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 2~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A、增益 40 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

FMAM5121

Fairview Microwave

主要参数包括工作电源电压 28~32 V、工作频率 2~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 9 A、增益 47 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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FMAM5123

Fairview Microwave

主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 6~18 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3 A、增益 40 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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HP8M51TB1

ROHM Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 HSOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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HSM5100G/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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HSM5100Ge3/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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HSM5100J/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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HSM5100Je3/TR13

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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IM5116D2DDBG-25

Intelligent Memory

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-60 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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