ADM5170JP
Analog Devices Inc.
- ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| LV5725JA-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LV5725JAZ-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| ADM5170AP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP-REEL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ECH8620-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| FW360-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| PCM1718 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1728 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1740 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
Renesas Electronics Corporation
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Fairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 2~4 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 5 A、增益 43 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 2~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A、增益 40 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 28~32 V、工作频率 2~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 9 A、增益 47 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 26~30 V、工作频率 6~18 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3 A、增益 40 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 4.5 A,采用 HSOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersIntelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-60 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM