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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM4G16D3FDBG-107

Intelligent Memory Ltd.

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  • AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
原型号

IS43TR85120AL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IM4G08D3FDBG-107Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

TMPM4G6FDFG(DBB)

Toshiba Semiconductor and Storage

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  • TMPM4GNFDFGToshiba Semiconductor and Storage第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

409 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

1SMB5934HM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 24 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 63 mA、稳压管阻抗(Zz) 19 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5935 M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 56 mA、稳压管阻抗(Zz) 23 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5935HM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 56 mA、稳压管阻抗(Zz) 23 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

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1SMB5936 M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 30 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗(Zz) 26 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

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1SMB5936HM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 30 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 mA、稳压管阻抗(Zz) 26 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5937 M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 45 mA、稳压管阻抗(Zz) 33 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5937HM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 33 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 45 mA、稳压管阻抗(Zz) 33 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5938 M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 36 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 42 mA、稳压管阻抗(Zz) 38 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1SMB5938HM4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 36 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 42 mA、稳压管阻抗(Zz) 38 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

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1SMB5939 M4G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 39 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗(Zz) 45 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。

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