TLE2024QDWRG4Q1
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 20 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOIC-16 封装。
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芯片技术资料
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TLE2027AMD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027AMDG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027CD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027CDG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027CDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027ID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027IDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027MD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 19 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 19 V、技术 Bipolar，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLE2027MDREP
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 19 V、电源电压（最小值） 4 V、工作电源电压 4～19 V、输出类型 Rail-to-Rail、增益带宽积（GBP） 13 MHz，采用 SOIC-8 封装。
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