搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SURA8120T3G	onsemi	NRVUA120VT3G	2021-07-07	查看资料
SURA8140T3G	onsemi	NRVUA140VT3G	2021-07-07	查看资料
SURA8160T3G	onsemi	NRVUA160VT3G	2021-07-07	查看资料
SBRA8160T3G	onsemi	SBRA8160NT3G	2020-02-21	查看资料
KSA812YMTF	onsemi	MSA1162GT1G	2019-07-16	查看资料
INA118P	Texas Instruments	INA818IDR INA818ID		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号

原型号

A8650KLYTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐

原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

100 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SURA8140T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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SURA8160T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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TPCA8104(TE12L,Q,M

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8107-H(TE12LQM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8108(TE12L,Q,M

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 40 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8120,L1Q

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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TPCA8120,LQ(CM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45 A，采用 SOP-Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPCA8128,LQ(CM

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOP Advance-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TPS7A8101DRBR

Texas Instruments

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 800 mV to 6 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Adjustable、类型 Low Dropout Linear Regulator、输出数 1 Output，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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TPS7A8101DRBT

Texas Instruments

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 800 mV to 6 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Adjustable、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 6.5 V，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators

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