原型号
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Microchip Technology
- 93AA76/SNMicrochip Technology直接替代候选
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原型号
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onsemi
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- 93AA76CT-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选XC6505B761MR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6505A761MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Torex Semiconductor Ltd
- XD6216B761MR-QTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
HUFA76645S3ST-F085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 75 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHUFA76645S3ST-F085
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 75 A，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXFA76N15T2
IXYS
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiPerFET、单件重量 0.077603 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA76N15T2-TRL
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 76 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA76N25T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Trench Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA76N25T-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 Trench。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA76P10T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 TrenchP Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 TO-263AA-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA76P10T-TRL
IXYS
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.077603 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMPSA76 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsMPSA76 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors