原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA35TF8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7132LA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7133LA35PFI8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7133SA35PFG8
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- 7133LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7140LA25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71421SA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7143LA35J8
Renesas Electronics Corporation
- 7143LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71V321LA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71V321L25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CY14U256LA-BA35XIT
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 256 kbit、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCY14U256LA-BA35XIT
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 kbit、原产国家或地区 美国、湿敏性 是，采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCY14V256LA-BA35XI
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 35 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCY14V256LA-BA35XI
Infineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、存储组织结构 32 k x 8、访问时间 35 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCY14V256LA-BA35XIT
Cypress Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCY14V256LA-BA35XIT
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是，采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDI0A35N06PGK
Diotec Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsDI0A35N06PGK-AQ
Diotec Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 350 mA、漏源导通电阻（Rds On） 1.4 Ω，采用 SOT-883-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsDSA35-12A
IXYS
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1200 V、正向电流（If） 49 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 650 A，采用 DO-203AB (DO-5) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDSA35-16A
IXYS
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1600 V、正向电流（If） 49 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 650 A，采用 DO-203AB (DO-5) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers