原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
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原型号
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Diodes Incorporated
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- XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Rohm Semiconductor
- LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号
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Rohm Semiconductor
- LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号
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Texas Instruments
- INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 10 条候选LD6806TD/33H,125
NXP USA Inc.
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- XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选LP38691DT-3.3
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选LP8340CDTX-3.3/NOPB
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 14 条候选MAX4074BJEUK-T
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
E7110-4-102A33-AG
ON Semiconductor
Audio DSPs EZAIRO7110-4-102-T&R
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPsFDA33N25
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 33 A，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFSA3357K8X
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SP3T，采用 US8-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA3357K8X
onsemi
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、供电类型 Single Supply、配置 1 x SP3T、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 US8-8 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA3357L8X
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SP3T，采用 MicroPak-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsINA330AIDGST
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、放大器类型 Variable Gain Amplifiers、供电类型 Single，采用 MSOP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersINA331AIDGKR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 2 MHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA331AIDGKRG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 2 MHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA331AIDGKT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 2 MHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA331AIDGKTG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、共模抑制比（CMRR） 90 dB、输入偏置电流（Ib） 10 pA，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers