ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

9 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
6KA24L-01HE3_A/EVishay
  • 6KA24HE3_B/C
2022-09-16查看资料
6KA24L-2HE3_A/EVishay
  • 6KA24HE3_B/C
2022-09-16查看资料
6KA24L-4HE3_A/EVishay
  • 6KA24HE3_B/C
2022-09-16查看资料
6KA24L-6600HE3_A/PVishay
  • 6KA24HE3_B/C
2022-09-16查看资料
6KA24L-7001HE3_A/EVishay
  • 6KA24HE3_B/C
2022-09-16查看资料
FSA2457UMXonsemi
  • TS3A5018
2022-06-30查看资料
FSA2467UMXonsemi
  • FSA2466UMX
2019-07-16查看资料
MMT05B260T3Gonsemi
  • SMTPA240
查看资料
OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

52 个原型号
原型号

66AK2H12BAAWA24

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • 66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选
原型号

ISL84684IR

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL84684IR-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL84684IUZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS3A24159DGSRTexas Instruments相似型号
原型号

LP2981A-28DBVR

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LP2985AIM5X-2.9/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LP2985IM5X-2.7/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LP2992IM5-2.5/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TPS7A2425DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

MIC6211BM5-TR

Microchip Technology

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA244NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

S-1121B24MC-N2JTFG

ABLIC Inc.

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

391 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ESDU03A24VR25V

SEI Stackpole

该型号为二极管。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS
查看技术资料

FDA24N40F

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 400 V、连续漏极电流(Id) 23 A,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

FDA24N40F

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 400 V、连续漏极电流(Id) 23 A,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
查看技术资料

FDA24N50

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 24 A,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

FDA24N50F

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

FDA24N50F

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 24 A,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
查看技术资料

FQA24N50

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

FQA24N60

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V,采用 TO-3PN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

FSA2457UMX

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPDT,采用 UMLP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs
查看技术资料

FSA2466UMX

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.65~4.45 V、电源电压(最大值) 4.45 V、电源电压(最小值) 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPDT,采用 UMLP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs
查看技术资料