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查看详情 · 1 条候选AT97SC3204T-U1A180
Microchip Technology
- AT97SC3204T-U2A1B-10Microchip Technology直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
RFPA1802SR
RFMD (Qorvo)
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierRFPA1802TR7
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 1600～2000 MHz、类型 Integrated Power Amplifier、增益 28.5 dB、噪声系数（NF） 3.3 dB，采用 MCM-10 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierRFPA1805TR13
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1805～1880 MHz、类型 3-Stage Power Amplifier、增益 33 dB、噪声系数（NF） 5.2 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 MCM-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSD1A180A
Diodes Incorporated
主要参数包括最小工作温度 - 10 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSD1A180A-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSD1A180E
Diodes Incorporated
主要参数包括最小工作温度 - 10 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSD1A180G
Diodes Incorporated
主要参数包括最小工作温度 - 10 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSIHA180N60E-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 TO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIHA180N60E-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSMA180
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 3.4dB Gain 16.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier