技术资料参考
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Renesas / Intersil
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 0.8～5.5 V、开关频率 1000 kHz、类型 Step Down、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 5.5 V、拓扑结构 Buck，采用 DFN-EP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsRenesas / Intersil
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 0.8～5.5 V、开关频率 1000 kHz、类型 Step Down、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 5.5 V、拓扑结构 Buck，采用 DFN-EP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsRenesas / Intersil
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、输出电压 0.8～5.5 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、开关频率 1 MHz、类型 Voltage Converter，采用 DFN-EP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsCrydom
该型号为半导体器件，主要参数包括产品 Diode Power Modules、单件重量 3.739040 oz。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 XDFN-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 33 A、漏源导通电阻（Rds On） 80 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 36 A、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 35 A、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsDiodes Incorporated
主要参数包括产品 Audio Amplifiers。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersPasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.376000 oz。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector