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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NTMS4503NSR2Gonsemi
  • FDS8876
2019-11-04查看资料
NTMS4503NR2Gonsemi
  • NTMS4937NR2G
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

10 个原型号
原型号

AD8057ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • THS4503CDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8132AR-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8138ARMZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • THS4503CDGNRTexas Instruments相似型号
原型号

ADA4857-1YRZ-RL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号

ISL43112IH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 8 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • MAX4503CUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

ISL54503IRUZ-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选
  • NLAS5123MUR2Gonsemi相似型号
原型号

ISL84516IH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • MAX4503CUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

MAX4503EUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 3 条候选
  • MAX4503EUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

106 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

NSV45030AT1G

ON Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000409 oz,采用 SOD-123 封装。

半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers
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NSV45030T1G

ON Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 SOD-123 封装。

半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers
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NSV45035JZT1G

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 70 mA、类型 Backlight、输入电压 45 V、认证等级 AEC-Q100、产品 LED Drivers,采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers
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NTR4503NST1G

ON Semiconductor

主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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NTR4503NT1G

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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NTR4503NT1G

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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NVTR4503NT1G

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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NVTR4503NT1G

onsemi

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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RFFM4503SR

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 3~4.2 V、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 350 mA、最大工作温度 + 85 C,采用 LGA-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front End
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RFFM4503TR7

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大数据速率 6 Mb/s、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 315 mA,采用 QFN-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front End
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