AD8057ARZ-REEL
Analog Devices Inc.
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- THS4503CDTexas Instruments相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
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Renesas Electronics Corporation
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Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
onsemi
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.000409 oz,采用 SOD-123 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 SOD-123 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 70 mA、类型 Backlight、输入电压 45 V、认证等级 AEC-Q100、产品 LED Drivers,采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETonsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETonsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsQorvo
主要参数包括工作电源电压 3~4.2 V、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 350 mA、最大工作温度 + 85 C,采用 LGA-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最大数据速率 6 Mb/s、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 315 mA,采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front End