5T9070PAGI
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
59 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SIHB12N50C-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-7-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| DPS1035FIA-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-08-29 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| DFLS1150-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI/W | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI8 | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| SURS283T3G-VF01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| UDZS11B | Diodes Incorporated |
| 2022-03-31 | 查看资料 |
| 853S111BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 853S111BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| BAS116LT3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| 83940DYILF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYILFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-G | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| 2325090 | Infineon |
| 查看资料 | |
| 8611200975 | Infineon |
| 查看资料 | |
| LE25FU406BMS11-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C353 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C375 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C975 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012C-F9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770013CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770023CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P7700280F0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770032CF0C001 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770048CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV10 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV13 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV20 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV22 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV23 | Infineon |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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STMicroelectronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器(LDO),采用 HSOP-6J-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRicoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 1.15 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 Low Voltage、输出数 1 Output、极性 Positive,采用 HSOP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsMerit Sensor
该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 5 V、输出电压 75 mV、压力类型 Absolute、输出类型 Analog,采用 SMD-6 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsMerit Sensor
该型号为传感器,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 5 V、输出电压 150 mV、压力类型 Absolute、输出类型 Analog,采用 SMD-6 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Pressure SensorsCypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 LEA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、电源电流(最大值) 100 uA,采用 LEA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 FBGA-64 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashCypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash