24AA32AFT-I/ST
Microchip Technology
- 24AA32AF-I/STMicrochip Technology直接替代候选
仅匹配已公开库存,不代表原厂公告中的替代型号有现货。
支持料号片段或品牌查询,输入后自动筛选。
共 1 条公开现货参考记录
显示 1–1 条| 料号 | 品牌 | D/C | 数量 | 询价 |
|---|---|---|---|---|
| ATMEGA32A-AU | Microchip | 22+ | 2,100 | 提交询价 |
页面信息用于参考,实际可供、批次、包装与交付资料以项目沟通确认结果为准。
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ATMEGA32-16AUA3 | Microchip |
| 2023-05-16 | 查看资料 |
| SA3229-E1 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| SA3229-E1-T | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| NRVBA320T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| KA324 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA324A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA324ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA32PA120CPBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| LC87F1A32A-F5AR0-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| LC87F1A32A-F5BP4-E | onsemi |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
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Analog Devices Inc.
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Microchip Technology
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Pasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierPasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 1003 MHz、测试频率 45 MHz, 1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier,采用 SOT-115J-7 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1000~1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Hybrid,采用 SOT-115J-9 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier、增益 22.8 dB,采用 SOT-115J-9 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1000~1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Hybrid,采用 SOT-115J-9 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 1.2 GHz、技术 Si、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 475 mA、增益 25 dB,采用 SOT-115J 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 1.2 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 480 mA、增益 25 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier、增益 25 dB,采用 SOT-115J-9 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24~34 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 CATV Power Doubler Amplifier,采用 SOT-115J 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier