LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Taiwan Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 500 mA、输出类型 Fixed、类型 Monolithic Micro Power Voltage Regulator、输出数 1 Output、静态电流 25 mA,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 Monolithic Micro Power Voltage Regulator、输出数 1 Output、极性 Positive,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 4 A, 11 A、漏源导通电阻(Rds On) 50 mOhms,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTaiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 4.7 A,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTaiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 20 V、连续漏极电流(Id) 4.7 A,采用 TDFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTaiwan Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 38 A, 107 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET