NSS40301MZ4T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。
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NSS40302PDR2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS40302PDR2G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS40500UW3T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.31 V，采用 WDFN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS40501UW3T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 WDFN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS40600CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.18 V，采用 1206A 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS40601CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSV1SS400T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOD-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingNSV1SS400T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、正向电流（If） 200 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、认证等级 AEC-Q100、配置 Single、组装国家或地区 中国，采用 SOD-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesNSV1SS400T5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching