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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
2DD2656-7	Diodes Incorporated	DSS4140U-7	2023-02-22	查看资料
DNLS160V-7	Diodes Incorporated	DSS4160V-7	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DSS4160U-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 280 mV，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4160V-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4220V-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4240T-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 320 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4240V-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4240Y-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 320 mV，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4310FJAWQ-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4320T-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 310 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS45160FDB-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V, 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 - 1.5 A, 1.5 A，采用 U-DFN2020-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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DSS4540X-13

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 355 mV，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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