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原厂资料

21 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR10100CTB-13-GDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2026-05-05查看资料
SBR10100CTBDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10200CTBDiodes Incorporated
  • SBR10200CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR1040CTBDiodes Incorporated
  • SBR1040CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10U200CTB-GDiodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10100CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR10100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10200CTFP-2084Diodes Incorporated
  • SBR10200CTFP
2023-05-15查看资料
SBR1045CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR1045CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR12A45SD1-T-01Diodes Incorporated
  • SBR12A45SD1-T
2023-05-15查看资料
SBR12E45LH1-13Diodes Incorporated
  • SBR12U45LH1-13
2023-05-15查看资料
SBR12E45LH1-13RDiodes Incorporated
  • SBR12U45LH1-13R
2023-05-15查看资料
SBR15U100CTL-13-2223Diodes Incorporated
  • SBR15U100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10150CTFPDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10150CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10200CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR10200CTB-13-G
2021-05-24查看资料
SBR10200CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10200CTFP
2021-05-24查看资料
SBR1045SP5-7DDiodes Incorporated
  • SBR1045SP5-13
2021-05-24查看资料
SBR10E45P5-7DDiodes Incorporated
  • SBR10E45P5-7
2021-05-24查看资料
SBR10U100CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10U100CTFP
2021-05-24查看资料
SBR10U200CTBDiodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-G
2021-05-24查看资料
SBR10U200CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-13-G
2021-05-24查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

114 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SBR10U45SP5-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 PowerDI5-3 封装。

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SBR10U45SP5Q-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR10U60CT

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 TO-220AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR10U60CTFP

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V，采用 ITO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR12A45SD1-T

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 12 A、重复反向电压（Vrrm） 45 V，采用 DO-201AD-2 封装。

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SBR12A45SP5-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 POWERDI，采用 PowerDI5-3 封装。

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SBR12E45LH1-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si，采用 PowerDI5SP-2 封装。

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SBR12M120P5-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 12 A、重复反向电压（Vrrm） 120 V、正向电压（Vf） 0.83 V、正向浪涌电流（Ifsm） 300 A，采用 PowerDI5-3 封装。

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SBR12M120P5-13D

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si，采用 PowerDI5-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR12U100P5-13

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 12 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.71 V，采用 PowerDI5-3 封装。

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