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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S8065JTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 950 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 65 A、正向电压（Vf） 1.8 V，采用 TO-218 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8065KTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 950 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 65 A、正向电压（Vf） 1.8 V，采用 TO-218 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8070W

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 950 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 70 A、正向电压（Vf） 1.8 V，采用 TO-218 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S8070WTP

Littelfuse

主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 950 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 70 A、正向电压（Vf） 1.8 V，采用 TO-218 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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S80F

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 TO-269AA-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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S80KS2562GABHI020

Infineon Technologies

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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S80KS2562GABHV020

Infineon Technologies

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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S80KS2563GABHI020

Infineon Technologies

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、访问时间 35 ns，采用 FBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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S80KS2563GABHV020

Infineon Technologies

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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S80KS2564GACHV040

Infineon Technologies

主要参数包括原产国家或地区 TH、湿敏性 是。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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