S40FC008C3B1V00300
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 8 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 MLC、顺序读取速率 278 MB/s，采用 VFBGA-153 封装。
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S40FC016C3B1B00000
SkyHigh Memory
主要参数包括原产国家或地区 韩国。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1I00000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 16 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 MLC，采用 VFBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1I00001
SkyHigh Memory
主要参数包括原产国家或地区 韩国。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1I00002
SkyHigh Memory
主要参数包括原产国家或地区 韩国。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1I00300
SkyHigh Memory
主要参数包括存储容量 16 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.1、配置 MLC、顺序读取速率 285 MB/s，采用 VFBGA-153 封装。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1V00000
SkyHigh Memory
主要参数包括原产国家或地区 韩国。
半导体 > Memory ICs > eMMCS40FC016C3B1V00300
SkyHigh Memory
主要参数包括原产国家或地区 韩国。
半导体 > Memory ICs > eMMCLE25S40FDW00-AH
ON Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash