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查看详情 · 1 条候选ADC0808S250HW/C1:1
NXP USA Inc.
- ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DS2502S+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502X1+
Maxim Integrated
EPROM ADD-O MEM1-1KB CSP LF T&R (GENERIC)
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502X1+U
Maxim Integrated
采用 WLP-4 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2505+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2505+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2505+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2505+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROM