RS1DL RQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
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芯片技术资料
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RS1DL RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL RTG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL RUG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DLHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DLHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DLHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DLHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DLHRQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
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