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原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
ADS1211ETexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1211E/1KTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1211E/1KG4Texas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1211UTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1211U/1KTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1211UG4Texas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1213ETexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1213E/1KTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1213UTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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ADS1213U/1KTexas Instruments
  • ADS1256IDBR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

20 个原型号
原型号

74LVC1G126GV-Q100H

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 14 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BD7LS125G-CTLRohm Semiconductor参数相近
原型号

ADS1210U

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1210UG4

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1255IDBTG4

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • ADS1255IDBTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

DS1250AB-100IND

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 1 条候选
  • DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DS1250AB-100IND+

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 1 条候选
  • DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DS1250AB-70IND

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 1 条候选
  • DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DS125BR800SQ/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 11 条候选
  • PI3EQX12908AZFEXDiodes Incorporated直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

141 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

DS1250Y-70+

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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DS1250Y-70IND+

Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
查看技术资料

DS1250Y-70IND+

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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DS1250YP-70+

Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 PowerCap Module-34 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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DS1250YP-70IND+

Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 PowerCap Module-34 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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DS1250YP-70IND+

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 PowerCap Module-34 封装。

半导体 > Memory ICs > NVRAM
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DS1251W-120+

Maxim Integrated

主要参数包括实时时钟存储容量 4096 kB、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、存储器类型 NV RAM、实时时钟总线接口 Phantom Clock、日期格式 YY-MM-DD-dd，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Real Time Clock
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DS1251W-120IND+

Maxim Integrated

主要参数包括实时时钟存储容量 512 kB、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、实时时钟总线接口 Parallel、日期格式 DW:DM:M:Y、时间格式 HH:MM:SS:hh，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Real Time Clock
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DS1251W-120IND+

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括实时时钟存储容量 512 kB、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、实时时钟总线接口 Parallel、日期格式 YY-MM-DD-dd、时间格式 HHMMSShh (12 hr, 24 hr)，采用 EDIP-32 封装。

半导体 > Clock & Timer ICs > Real Time Clock
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DS1251WP-120+

Maxim Integrated

主要参数包括实时时钟存储容量 512 kB、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、实时时钟总线接口 Parallel、日期格式 DW:DM:M:Y、时间格式 HH:MM:SS:hh，采用 PowerCap Module-34 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Real Time Clock
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