原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号
查看详情 · 24 条候选LD2985BM50R
STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
M508012F
Crydom
该型号为半导体器件，主要参数包括产品 Diode Power Modules、单件重量 3.739040 oz。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesM50A
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerM50AC
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerM50C
MACOM
RF Mixer
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Mixer10M50DAF256C7G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 178 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 FBGA-256 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array10M50DAF256C8G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 178 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 FBGA-256 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array10M50DAF256I6G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、逻辑单元数 50000 LE、湿敏性 是、逻辑阵列块（LAB）数 3125 LAB。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array10M50DAF256I7G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 178 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 FBGA-256 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array10M50DAF484C7G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 360 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 FBGA-484 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array10M50DAF484C8G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 360 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 FBGA-484 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array