原型号
查看详情 · 2 条候选621MLF
Renesas Electronics Corporation
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- PI6CL10804WEXDiodes Incorporated相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A3T4GF40BBF-HP TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-HPI
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-HPI TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JR
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JR TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JRI
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JRI TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JRL
Zentel Japan
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FPGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40BBF-JRL TR
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > Memory ICs > DRAMA3T4GF40CBF-HP
Zentel Japan
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 Zentel Japan。
半导体 > Memory ICs > DRAM