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Infineon Technologies
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技术资料参考
芯片技术资料
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M2S150TS-FCG1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Systems on a Chip - SoC > SoC FPGAM2S150TS-FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 146124、逻辑阵列块（LAB）数 12177、湿敏性 是，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayM2S150TS-FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Systems on a Chip - SoC > SoC FPGAMCG120N10L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG15N10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMCG15P10YHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源导通电阻（Rds On） 95 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMK74CG117BFLFTR
IDT
Clock Generators & Support Products 16 OUTPUT LOW SKEW CLOCK GENERATOR
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsMPF300T-1FCG1152E
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.7 Gbs、产品 PolarFire、逻辑单元数 300000，采用 BGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMPF300T-1FCG1152E
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMPF300T-1FCG1152I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.7 Gb/s、产品 PolarFire、逻辑单元数 300000，采用 BGA-1152 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array