BC857BM,315
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 DFN-1006-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC858A-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
| BC858AW-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
| NSVBC857CWT1G-M01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| NSVBC857CWT1G-M02 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| SBC857BDW1T1G-M02 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| DP0150ALP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DP0150ALP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BC857BM-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-883-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BM3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000035 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BMB,315
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 DFN-1006B-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BQAZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BR BK
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BR TR
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC857BR PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BR TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857BR13
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
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