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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SURA8120T3Gonsemi
  • NRVUA120VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8140T3Gonsemi
  • NRVUA140VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8160T3Gonsemi
  • NRVUA160VT3G
2021-07-07查看资料
SBRA8160T3Gonsemi
  • SBRA8160NT3G
2020-02-21查看资料
KSA812YMTFonsemi
  • MSA1162GT1G
2019-07-16查看资料
INA118PTexas Instruments
  • INA818IDR
  • INA818ID
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

A8650KLYTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
原型号

HFA1110IBZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • VCA810AIDTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

100 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

STA8100GATR

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front End
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STA8135G

STMicroelectronics

RF Receiver Teseo V industrial triple-band multi-constellation GNSS precise engine receiver

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver
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STA8135GA

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver
查看技术资料

STA8135GATR

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver
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STA8135GTR

STMicroelectronics

主要参数包括电源电压（最大值） 1.32 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, UART、工作频率 2.3～3.3 GHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-160 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Receiver
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SURA8110T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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SURA8120T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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SURA8130T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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SURA8130T3G-VF01

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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SURA8130T3G-VF01

onsemi

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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